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IXFA130N10T2
IXFP130N10T2
160
Fig. 7. Input Admittance
100
Fig. 8. Transconductance
140
120
100
80
90
80
70
60
50
T J = - 40oC
25oC
150oC
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
40
30
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 65A
I G = 10mA
100
T J = 150oC
3
50
0
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
Ciss
R DS(on) Limit
10ms
1ms
100μs
25μs
100
1,000
Coss
10
T J = 175oC
100ms
DC
100
Crss
1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_130N10T2(V5)9-30-09-A
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